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發(fā)布時(shí)間:2024-10-22 13:40:22   來(lái)源:上海千隆物流有限公司   閱覽次數(shù):3125次   

碳化硅MOSFET和碳化硅二極管用于太陽(yáng)能,UPS,工業(yè),汽車等應(yīng)用:主要集中在光伏儲(chǔ)能中的逆變器,數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的UPS電源,智能電網(wǎng)充電站等需要轉(zhuǎn)換效率較高的領(lǐng)域。但是隨著近些年電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(xEV)的發(fā)展,SiC也在這個(gè)新領(lǐng)域迅速崛起,輻射的產(chǎn)業(yè)包括能源(PV,EV充電,智能電網(wǎng)等)、汽車(OBC,逆變器)、基礎(chǔ)設(shè)施(服務(wù)器)等。與常規(guī)硅相比,WBG材料具有相對(duì)較寬的能帶隙(在價(jià)帶和導(dǎo)帶之間)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是當(dāng)今使用較普遍的WBG材料。表1顯示了WBG和Si基材料的主要特性。 一直沿用至今,以碳質(zhì)材料為爐芯體的電阻爐,通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。黃浦區(qū)碳化硅什么牌子好

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目前已知的碳化硅有約200種晶體結(jié)構(gòu)形態(tài),分立方密排的閃鋅礦α晶型結(jié)構(gòu)(2H、4H、6H、15R)和六角密排的纖鋅礦β晶型結(jié)構(gòu)(3C-SiC)等。其中β晶型結(jié)構(gòu)(3C-SiC)可以用來(lái)制造高頻器件以及其他薄膜材料的襯底,例如用來(lái)生長(zhǎng)氮化鎵外延層、制造碳化硅基氮化鎵微波射頻器件等。α晶型4H可以用來(lái)制造大功率器件;6H較穩(wěn)定,可以用來(lái)制作光電器件。目前傳統(tǒng)硅基產(chǎn)業(yè)極其成熟的商業(yè)環(huán)境,至少有一大半原因是硅材料較為容易得到。硅材料成熟且高效的制備技術(shù)使得硅材料目分低廉,目前6英寸硅拋光片只150元,8英寸300元,12英寸850元左右。金山區(qū)碳化硅大概多少錢碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。

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2012年全年中國(guó)黑碳化硅產(chǎn)能沒有正常釋放,一方面是成交緩慢,庫(kù)存消耗慢,占?jí)嘿Y金量大,另一方面是下游玩業(yè)消費(fèi)商回款時(shí)間長(zhǎng),欠款現(xiàn)象嚴(yán)重,導(dǎo)致某些企業(yè)資金鏈緊張。2012年中國(guó)黑碳化硅的主產(chǎn)地為寧夏和甘肅,青海和新疆的原有產(chǎn)能逐漸被淘汰,加上湖北丹江口弘源的冶煉產(chǎn)能,共計(jì)76.9萬(wàn)噸, 2012年總產(chǎn)量約為34萬(wàn)噸,黑碳化硅冶煉企業(yè)的產(chǎn)能利用率約為44.5%。中國(guó)綠碳化硅冶煉的主產(chǎn)地是甘肅、青海、新疆和四川。四川主要靠水力發(fā)電站供電,受到枯水期電力短缺的影響,一年的生產(chǎn)時(shí)間只在4-10月份,較長(zhǎng)能堅(jiān)持6個(gè)月的生產(chǎn),但四川的冶煉爐幾乎沒有正常開工,主要因?yàn)槭袌?chǎng)需求疲軟,庫(kù)存難以消耗。

如果只算碳化硅芯片,在功率半導(dǎo)體方面碳化硅的對(duì)比傳統(tǒng)硅基功率芯片,有著無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì):碳化硅能承受更大的電流和電壓、更高的開關(guān)速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅的做成的功率模組可以相應(yīng)的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件,使得整個(gè)功率器件模組更加輕巧、節(jié)能、輸出功率更強(qiáng),同時(shí)還增強(qiáng)了可靠性,優(yōu)點(diǎn)十分明顯,具體總結(jié)如下:1、更低的阻抗,帶來(lái)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率;2、適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度;3、較佳的高溫特性,能在更高溫度下工作。碳化硅大多用于加工抗張強(qiáng)度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。

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全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多,甚至在開關(guān)頻率低于5kHz時(shí)。因此,通過(guò)使用更大的芯片面積來(lái)優(yōu)化用于低開關(guān)頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適,SiC器件可以在普遍的開關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯(lián)。目前,可以獲得額定電流高達(dá)200A的硅IGBT和傳統(tǒng)續(xù)流二極管,SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A。因此,不得不并聯(lián)大量的SiC晶片以實(shí)現(xiàn)大額定功率??紤]到SiC器件的快速開關(guān)特性和振蕩趨勢(shì),需要低電感模塊設(shè)計(jì)和DCB基板上優(yōu)化的芯片布局。在下文中,1200V、900A全SiC模塊與1300A的常規(guī)硅模塊相對(duì)比。 IGBT模塊利用2塊并聯(lián)的DCB基板,每個(gè)基板配有并聯(lián)的9個(gè)75A溝道IGBT,連同5個(gè)100A CAL續(xù)流二極管。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。金山區(qū)碳化硅大概多少錢

黑碳化硅含SiC約95%,其韌性高于綠碳化硅。黃浦區(qū)碳化硅什么牌子好

碳化硅半導(dǎo)體材料的革新:碳化硅基功率器件性能優(yōu)于硅基器件,更高效,更節(jié)能,更輕便!隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的日益普及,需要在高溫和苛刻的電流循環(huán)條件下,對(duì)二極管操作進(jìn)行各種耐久性測(cè)試,以評(píng)估其性能。毫無(wú)疑問,功率電子器件作為基本元器件,將在未來(lái)幾年中持續(xù)發(fā)展。而新型碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料更是不負(fù)眾望,它比傳統(tǒng)硅材料導(dǎo)熱性更佳、開關(guān)速度更高,而且可以使器件尺寸做到更小。因此,碳化硅開關(guān)也成為設(shè)計(jì)人員的新寵。碳化硅二極管主要為肖特基二極管。一款商用碳化硅肖特基二極管十多年前就已推出。黃浦區(qū)碳化硅什么牌子好

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